各市经信局：
《2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关领导目录（第一批））》（以下简称《目录》）已假造颁布。经钻研，决定选取“揭榜挂帅”的方式，组织企业揭榜攻关，沉点突破一批造约产业发展的关键共性技术，造就一批优势产品，不休提高造作业自主可控水平。现将有关事项通知如下：
一、步骤铺排
（一）集中发榜。以《目录》为基础，集中颁布2023年度揭榜沉点工作（附件1）。
（二）申请揭榜。省内从事有关领域的企业，或由企业牵头结合高校、科研院所等多个单元组成的结合体申请揭榜。揭榜申请单元应拥有较强的创新能力，对申请揭榜的产品或技术拥有肯定的研发基础，承诺揭榜后在指定期限内实现工作。每个单元限申请一项揭榜工作。
（三）单元推荐。各市经信局为推荐单元，组织切合前提的企业填写《申报资料》（见附2），审核后集中向省经济和信息化厅行文上报。
（四）揭榜企业遴选。省经济和信息化厅组织有关专家采取集中评审等方式，综合思考申请企业的研发基础前提、创新能力、资金支持等成分，择优确定并颁布揭榜企业名单。
（五）揭榜工作执行。揭榜企业按《申报资料》中的打算发展攻关工作，组织执行揭榜工作。省经济和信息化厅将跟踪揭榜单元工作进展。
（六）颁布揭榜成就。揭榜企业实现攻关工作后，由省经济和信息化厅组织有关专家发展验收评估工作。经验收评估确定实现攻关工作的，公开颁布攻关成功企业名单，支持攻关成就推广利用。
二、工作要求
（一）请各市经信局于7月31日前将推荐文件、申报资料和《汇总表》（见附3）一式一份报送我厅，电子版发至邮箱shijing@ahjxw.gov.cn。
（二）各市经信局要加强组织辅导，充分调动企业、高校、科研院所、造作业创新中心等创新主体揭榜挂帅的自动性、积极性。亲昵跟踪项目施前进度，为项目执行积极做好服务工作，并在资金配套、项目申报、政策支持等方面优先思考，为企业积极参加揭榜和揭榜企业实现攻关工作创造优良前提。
联系电话：0551-62871824。
附件：1. 2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关揭榜工作
2. 2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关工作揭榜申报资料
3. 2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关工作揭榜申请单元汇总表
安徽省经济和信息化厅
2023年7月7日
附件1
| 2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关揭榜工作 | ||
| 工作编号 | 产品/技术名称 | 重要内容 |
| JB22002 | 用于量子推算机芯片的微纳金属3d打印设备及资料 | 1.打印精杜着于5um；2.至少开发两种打印资料，其中一种支持超导；3.资料后处置温度低于200℃，或者支持部门后处置，不影响量子芯片的机能即可。 封装参数：1.24bit封装盒尺寸幼于60*60*15mm；2.信号上升沿功夫降低30%；3.解除可丈量的信号串扰；4.封装盒信号损耗幼于2dB。 |
| JB22005 | 多场耦合复杂气蕴8吋SiC单晶衬底造备及产业化 | 8英寸SiC衬底：晶片直径>203mm，厚度550±50μm；4H晶型100%；电阻率0.015～0.028Ω·cm；Warp＜60μm；XRD(004)扭捏曲线半高宽＜45arcsec； 使用面积＞90%；大于0.3um的颗粒密度＜0.5个/cm?。 |
| JB22008 | 车规级语音视觉多模态专用芯片 | 1.选取异构SOC,内置四颗32位RISC-V CPU，最高可工作到400MHz频率； 2.芯片支持DDR内存,(DDR4/LPDDR4)； 3.必要满足车规级AEC Q100 grade2的尺度； 4.20nm造程。 |
| JB22010 | 智能座舱域节造器芯片 | 1.CPU算力60K DMIPS； 2.GPU浮点算力240GFlops； 3.内置NPU； 4.LPDDR4 64bit 1866~2166Mhz Up to 16GB； 5.Sercurity支持HSM(硬件加密？)+支持国密(硬件)； 6.结温-40°C ~125°C； 7.AEC-Q100； 8.ISO26262 ASIL-B。 |
| JB22011 | 高集成度汽车无刷电机节造芯片 | 1.集成LDO, MCU, LIN收发器，电荷泵，NMOSFET?桥栅极驱动，运放； 2.工作电压5.4V~28V(最支持最高40V,? Load dump)； 3.ARM Cortex-M4F内核，主频48MHz，带浮点推算和DSP； 4.64KB FLASH?带ECC； 5.6KB RAM带ECC； 6.6通路电机专用PWM？，支持边缘对齐和中央对齐，支持双通路互补输出，带故障处置，支持死区功夫插入； 7.10bit ADC？； 8.支持PWM触发ADC采样，带可配置延时职能，便于更精确地采集电机相电流； 9.ADC采样带自动均匀推算，超出领域预警，有效降低CPU负荷； 10.16位Timer？，支持按时中断，支持输入捉拿（霍尔信号采集）； 11.支持LIN硬件Frame发送； 12.LIN收发器，支持LIN2.2和SAE J2602-2； 13.PWM通讯接口； 14. NMOSFET 3个半桥栅极驱动，电荷泵，100nc~150nc，支持PWM调速，频率高达20KHz； 15.1路运放，增益可配置； 16.?满足ISO26262 ASIL-B职能安全等级 – FLASH/RAM/EEPROM ECC –?电压监测，过压；，欠压监测/复位 –?时钟监测 –?独立窗口式看门狗用于法式流监测 –?温度监测，过温； –?重要寄放器写；ぁ⒂胨唤谠 –?电机的垂危关断职能 –?短路；ぁ⒐鞅； |
| JB22012 | AMOLED柔性显示触控模组与5G智能终端研发及产业化 | 1.Mini LED:NTSC：提升35%及以上；亮度：可做到1500nit以上；对比度：达1000000:1及以上；功耗：相比通例模组，均匀功耗降低35%； 2.曲面盖板玻璃：强度B10≥350MPa,落球强度≥0.4J，表形尺寸公差±0.1mm，面型公差±0.05mm； 3.柔性盖板玻璃：厚度30um，50um,弯曲寿命30um厚度，R1.8mm弯折＞20万次，50um厚度，R3mm弯折＞20万次； 4.触控屏尺寸3~110inch、表形精度?±0.05min、强度≥550Mpa、堆叠GG / GFF /GF2/PF/PF2等； 光&电学机能：透过率≥86%、雾度1%~30%、反射率1%~10%、方阻1Ω/□ min； 5.通明天线：透过率大于85%，拥有电阻低（方块电阻为1Ω/□） |
| JB22014 | AMOLED低温多晶变频背板技术 | 1.产品尺寸：6.5吋-8吋； 2.Oxide TFT个性指标：u=10~30cm^2/Vs，Vth 0.2±0.5V，SS：0.1~0.5V/Dec,Ioff＜1E-15A，hysteresis＜0.1V，Vth shift：NTBS -0.1~0V，NBTiS-0.5~0V，PBTS＜1V； 3.分辨率＞WQHD；均一性90%(Type)；寿命＞500hr（T95）； 4.实现1~120Hz变频驱动规划。 |
| JB22020 | 数字化轴角转换器SiP产品 | 1.分辨率（位）：16（10、12、14、16可。； 2.转换精度（角分）≤1； 3.参考信号频率（Hz）：1k-30k； 4.信号与参考相移（o）≤360； 5.跟踪速度（转/秒）：36（16位分辨率时）； 6.信号稳按功夫（ms）≤0.1。 |
| JB22021 | 光伏电池封装资料工艺与AI融合技术研发及产业化 | 1.实现光伏电池封装资料造作数据集中分析、AI智能节造工艺参数。 2.提升产品良品率并维持不变，产品良品率提升1个百分点以上。 3.降低行业企业运营成本，人为数量降低10%以上。 4.在光伏电池封装资料造作行业实现“工业4.0”。 |
| JB22026 | 面向造作业领域的工业智能声纹关键技术研发 | 1.声纹可视化平台：声波方向定位偏离≤ 3°；指标信号加强：最大30db；噪声抑造：最大20db；图像延长≤ 80ms。 2.智能声纹检测平台：虚警率≤10%；召回率＞90%。 |
| JB22028 | 车载多语种语音鉴别与合成技术 | 鉴别德语、挪威语、丹麦语、瑞典语、荷兰语，语音鉴别率90%，语音合成mos分4.3。 |
| JB22036 | 光配向聚酰亚胺取向剂 | 1.电压维持率大于98%；2.残留电压开释速度高；3.不产生闪动景象；4.曝光能量≤550毫焦；5.残像测试了局为0等级；6.离子浓度低于500ppb；7.60度90%高温高湿环境下1000幼时无老化；8.无侵蚀；9.固含量5.5%；10.粘度34；11.密度1.08；12.电阻率?10^13-10^14。 |
| JB22037 | 显示？樵熳鞴丶柿螦CF的研造与产业化 | 1.实现FOG衔接用ACF出产线有20万卷（0.1平方米/卷）/年的出产规模，重要原资料自主批量出产； 2.成立COG衔接用?ACF?幼试出产线，满足三家以上客户验证需要； 3.成立FOG衔接用ACF产品检验尺度，出厂合格率达到100%； 4.FOG衔接用ACF?衔接的精密线距：FOG衔接最幼间距60/100um，？橄允菊，清澈无缺划；贴合温度70-90?℃；贴合压力0.3-1MPa；贴应功夫0.5-2s主压温度160-190?℃；主压压力2-5MPa；主压功夫6-15s，接触电阻≤1Ω，粘接强度：FOG?衔接90度剥离强度≥1000g/cm；环境试验（50℃/60%RH）4幼时后粘接强度不变，TFT-LCD？橄允疚薇涠； 5.FOG衔接用ACF批量组装?TFT-LCD?？?10000?件以上，达到与使用国表ACF组装的TFT-LCD？榈囊谎； 6.COG衔接用ACF最幼焊盘面积1300 um2/3σ，最幼焊盘空地12um，最幼导电空地10um，？橄允菊，清澈无缺划。贴合温度70-90?℃；贴合压力0.5-2MPa；贴应功夫0.5-2s； 7.主压温度160-190?℃；主压压力3-5MPa；主压功夫5-8s，接触电阻≤ 5Ω，粘接强度：COG衔接剪切强度≥ 50N/4mm2。 |
| JB22042 | 车载偏光片 | 耐久性：通过如下的高耐久尝试后，无起泡，无分层，无影响显示的显著条纹。 高温：95℃×500h 高温高湿：60℃×95%RH×500h 冷热冲击：-40℃（30min）~85℃×30min×100cycles。 |
| JB22045 | 高强通明微晶玻璃规；毂赋商准际跎璞缚 | 弹性模量＞90GPa；强化前硬度＞700 kgf/mm2；强化后硬度＞750 kgf/mm2；断裂韧性≥1.0 MPa·m1/2；膨胀系数70-80×10-7/K；软化点?[107.6dPa·S]＜800℃；折射率＜1.58ND；透光率?≥90%；雾度≤0.17%；压缩应力≥500 MPa；应力层深度≥100μm；跌落情况（180目砂纸≥2m。 |
| JB22049 | 高机能极。ā4.5um）柔性锂电铜箔关键技术研发及产业化 | 1.抗拉强度Rm(MPa)≥350； 2.断后伸长率A50mm≥3.5%； 3.抗氧化：样品在200°C温度下烘烤20min不变色； 4.铜箔单卷收卷长度：≥2万米； 5.厚度：≤4.5微米。 |
| JB22064 | 360Wh/kg固态电池开发与利用 | 1.开发一款能量密度达到360Wh/kg以上、电芯最大放电能力大于蹬宗1C、显著提升电池自动安全（通过针刺、过充和热箱等严苛安全滥用测试）的高机能固态电池产品； 2.针对固态电解质、包覆正极、预锂工程化、高膨胀等瓶颈问题形成自主技术突破和迭代，推动固态电池的真正装车利用。 |
| JB22067 | 燃料电池气体扩散层用碳纸基底层研发及产业化 | 厚度0.18-0.40mm，根基密度40-200g/m2，透气性（Gurley法）<12 sec，电导率<20 mΩcm2，纵向抗拉强度（MD）>20 N/cm、横向抗拉强度（XD）>10 N/cm，纵向弯曲模量（MD）>3000 MPa、横向弯曲模量（XD）>1500 MPa，孔隙率>70%。 |
| JB22071 | 新一代混动专用发起机研发 | 设计开发热效能42%的汽油发起机产品，为混动平台产品提供动力支持，支持公司节能汽车的开发指标。 |
| JB22072 | 高发作压力柴油发起机研发 | 1.最高设计发作压力260Bar,额定功率点最幼迸淄耗低于175g/kw.h，达到国内当先水平。 2.选取缸内造动技术，额定点造动功率不低与28kw/L。 3.较大幅度降低发起机油耗和排放，排放满足国六b及以上； 4.申请专利12项，其中发现专利5项。 |
| JB22074 | 智能大数据电池监控云平台 | 热失控提前预警功夫24幼时；检出率≥80%； 正确率≥75%；电池渣滓寿命预测； 预测误差≤8%,?相信度?≥95%。 |
| JB22081 | 高精度角度仿照器研造 | 1.旋变模式（无负载）角度正确度： ±0.003°，工作电压（2～28）VL-L,频率领域（360～2000）Hz ±0.003°，工作电压（2～90）VL-L,频率领域（360～1000）Hz ±0.015°，工作电压（2～28）VL-L,频率领域（2～10）kHz 2.同步模式（无负载）角度正确度； ±0.005°，工作电压（11.8～90）VL-L,频率领域（100～800）Hz ±0.012°，工作电压（2～90）VL-L,频率领域（47～100）Hz |
| JB22084 | 三沉四极杆液相色谱质谱联用仪 | 1.分辨率0.7Da；2.质量领域5-2000Da； 3.扫描速度≥12000Da/sec； 4.离子源加热气温度≥12000Da/sec； 5.离子源进样流速5μL/min~3 mL/min； 6.动态领域：6个数量级； 7.活络度(1pg reserpine)：50w:1； 8.质量正确性0.3Da；9.检测限< 4.0 fg； 10.峰面积沉复性：50fg和?1pg利血等别离陆续进样10次，RSD（峰面积）幼于2%。 |
| JB22087 | 液压-机械复合变速传动(HMT)技术钻研与利用 | 1.表分流式 最大输入转速：2400 n/min；最大输入转矩：800Nm；最大输入功率：235kw；输出转速调节领域：0～2200 n/min；输出转矩调节领域：0～780 Nm；配套发起机：柴油机。 2.内分流式 最大输入转速：6000 n/min；最大输入转矩：250Nm；最大输入功率：110kw；输出转速调节领域：0～5850 n/min；输出转矩调节领域：0～370 Nm；配套发起机：汽油机。 |
| JB22091 | 大功率准分子激光器 | 激光器中心波长308nm，最大单脉冲激光能量≥1J，均匀输出功率≥600W。 |
| JB22092 | 直写光刻设备 | 线宽精度：3um（8.5代线）。 |
| JB22101 | 面向智能家居的多模态行为鉴别与监护系统研发及产业化 | 1.较当前主流的可见光图像物体检测步骤，鉴别正确率提升大于5%； 2.较当前主流的雷达图像物体检测步骤，检测正确率提升大于5%； 3.较当前主流的协同暗示进建步骤，语义有关性进建改确率提升大于5%； 4.较当前主流的典型有关分析步骤，语义关联性正确率提升大于5%； 5.系统响应功夫≤1s； 6.探测领域10m； 7.供电与功耗：直流供电12V，功耗≤2W； 8.+N188工作频率5.8GHz±75MHz； 9.发射功率≤0.5mW；⑩通讯接口与和谈：RJ45、RS-232/485、TCP/IP、NB-Iot、WLAN、Zigbee。 硬件环境适应性:工作温度：0℃~40℃，贮存运输温度：-20℃~55℃；相对湿度：40%~90%，贮存运输相对湿度：20%~95%（40℃）。防护等级：IP44。 |
| JB22105 | 雷达感应智能电视系统 | 毫米波雷达；波束成型.环境构建；感应角度360度；感应活络度.感应距离5-8m。 |
| JB22109 | 新型1470nm半导体医用激光医治仪成套设备关键技术研发及产业化 | 1.激光波长:1470nm； 2.激光终端最大均匀输出功率：160W； 3.激光工作模式：沉复、陆续、凝固； 4.激光输出方式：光纤传输； 5.批示激光：激光波长635nm，输出功率≦5mW； 6.电源：?220V,50Hz。 |
| JB23001 | 中远红表用大尺寸锑化物单晶 | 1.关键技术指标：①高纯金属锑纯度≥7.5N；②锑化镓单晶：直径≥5寸，载离子浓度≤3×1017?/cm3，2000 cm2/v·s≤迁徙率≤3500 cm2/v·s，EPD≤ 200/cm2。③锑化铟单晶：直径≥5寸，乳酸侵蚀坑＜20/cm2，4×1014?/cm3≤载离子浓度≤1.4×1015?/cm3，迁徙率＞1×105?cm2/v·s，EPD≤50 /cm2。 2.产业化指标：建设高纯金属出产线1条，大尺寸锑化物单晶出产线2条，实现年产3万片5英寸锑化物单晶批量化出产。 |
| JB23002 | 锑化铟传感器芯片 | 1.320×256：有效像元率?>99.5%，量子效能?>75%，暗电流?~5pA，未校准非均匀性?<5%，残存非均匀性<0.025%，NETD <17mK； 2.640×512：有效像元率?>99.5%，量子效能?>75%，暗电流?~4pA，未校准非均匀性?<5%，残存非均匀性<0.05%，NETD <25mK。 |
| JB23003 | MCT造冷型探测器 | 1.产品1：阵列规模320×256，中心距30μm，截止波长≥4.8μm，有效像元率≥99.5%，NETD≤15mK； 2.产品2：阵列规模640×512，中心距15μm；截止波长≥4.8μm；有效像元率≥99.5%；NETD≤20mK； 3.产品均匀故障距离功夫≥6000幼时。 |
| JB23004 | DSP主控芯片 | 1.32位高机能多核处置器架构； 2.主频≥100Mhz； 3.双模式复杂结构ADC； 4.带12位参考DAC的窗口比力器≥7个； 5.集成表设接口类型和数量：串行（通讯/表设）接口≥4个、拥有加强职能的高分辨率脉宽调造器（HRPWM）通路≥16个、加强型捉拿（eCAP）？椤7个，其中支持高分辨率的加强型捕获（HRCAP）？椤2个、加强型正交编码器脉冲（eQEP）?？椤2个。 |
| JB23005 | 新一代便携式超声诊疗设备用高机能MEMS换能器芯片集成技术 | 1.阵列数?≥8×8； 2.覆盖中心频率≥3 MHz?； 3.分数带宽≥120%(-6dB）?； 4.单元面积发射活络度?≥1.5 kPa/V/mm2?； 5.单元面积接管活络度?≥10??V/Pa/mm2。 |
| JB23006 | 高精度超低功耗脑机体征传感芯片 | 1.片上神经电仿照前端单通路均匀电流优于200uA； 2.噪声水平优于5uVrms； 3.共模抑造迸着于80dB； 4.模数转换器分辨率优于14bit； 5.通路数大于四通路；6.最高采样率大于25KHz。 |
| JB23007 | 车规级三相电机预驱动芯片 | 1.切合AEC-Q100尺度，Grade 0； 2.宽工作电压领域，5.5V – 50V持续工作电压，支持58V Load Dump，支持12V、24V汽车利用； 3.3个N-MOS半桥栅极驱动，输出驱动电流可配置，支持100% PWM占空比，死区功夫可配置； 4.支持高边N-MOS防反接；； 5.兼容3.3V/5V MCU； 6.集成3个可编程运放及过流；； 7.SPI接口用于参数配置和诊断反； 8.丰硕的；ず驼锒现澳； 9.支持ASIL-B系统设计。 |
| JB23008 | 车规级高端PMIC芯片关键技术研发及产业化利用项目 | 1.根基规格：切合12V乘用车电源利用，工作电压领域：3V~40V；切合AEC-Q100 Grade1，利用温度领域：-40~125℃。 2.集成3路DC-DC：提供1路升压（Boost）开关稳压器：典型升压输出值：Vbst=6.5V，电压精度达到±3%，通过PWM（脉宽调造）方式，表置Mosfet管，开关频率：450kHz； 可凭据输入电压，通过设置阈值，开关Boost稳压器，调整输出电压大幼。集成1路降压（Buck）稳压器1，提供总电流： 典型输出值：Vpre=5.8V，?输出电压精度：±2%，额定输出电流值：Inor=2.2A，拥有PFM（开关频率调造）&PWM（脉宽调造）两种步骤，内置开关MOSFET； 凭据工作模式选取分歧调造方式，其中Standby模式选取PFM调造。 集成1路降压（Buck）稳压器2，提供Core电流： Core电压输出值：Vcore=0.8~3.35V，电压精度：±2%，额定输出电流：Inor=1.5A/2.2A，拥有两种开关频率可。450kHz /2.2Mhz，通过PWM调造，内置开关MOSFET。 3.集成4路LDO LDO1：电压输出值：Vuc=3.3V/5V，电压精度：±1.75%，最大额定电流：Inor=400mA；LDO2：电压输出值：Vcom=3.3V/5V，电压精度：±1.75%，最大额定电流：Inor=200mA；LDO3：电压输出值：Vref=3.3V/5V，电压精度：±1%，最大额定电流：Inor=30mA；LDO4：电压输出值：Vstandby=3.3V/5V，电压精度：±2%，最大额定电流：Inor=10mA，可独立于Vpre单独使用。 4.Sensor Tracker Tracker1/Tracker2：输电电压：Vtrk=1.2V/1.8V/3.3V/5V，电压精度：?±2%?，最大额定电流：Inor=150mA;输出电压可选择，短路和短电源；。 5.SPI：32bit With CRC。 6.职能安全：切合ASIL B/D、AMUX、RESET、INTB、FCCU1/FCCU2、FS0/FS1、Simple Watchdog/Challenger Watchdog、ABIST&LBIST。 7.其它指标：支持2路Wakeup，可鉴别唤醒源；支持低功耗LDT，可支持长功夫周期设定。 |
| JB23009 | 高机能MEMS六轴惯导集成技术 | 1.加快度计量程≥10g； 2.加快度全温零偏≤1mg； 3.陀螺仪量程≥500°/s； 4.角速度全温零偏≤0.01°/s； 5.带宽≥100Hz； |
| JB23010 | MEMS激光雷达微振镜集成造作技术 | 1.活动维度：二维； 2.镜面尺寸：≥5mm； 3.X轴最大光偏转角度≥20°； 4.Y轴最大光偏转角度≥30°。 |
| JB23011 | 55纳米BSI图像传感芯片的车规级造作工艺 | 1.0.7um?像素尺寸； 2.低介电常数的铜互连技术； 3.5000万像素后镜头分辨率； 产业化指标：实现产品流片。 |
| JB23012 | 高机能、高精度工业丈量节造用压力传感器集成技术 | 1.量程散布：0~70MPa（全量程）； 2.种类：表压、绝压、差压； 3.度区间：-55℃到+125℃； 4.常温精度：不大于0.01%F.S（蕴含非线性、沉复性、迟滞）； 5.全温区精度：不大于0.02%F.S。 |
| JB23013 | 90纳米BCD电源治理芯片的车规级造作工艺 | 1.多种电压可选择； 2.元件可调性强； 3.多用处嵌入式存储元件。 产业化指标：通过AEC-Q100?验证，实现流片。 |
| JB23014 | 电子级二氯硅烷 | 产出满足28nm以下集成电路先进造成用的电子级DCS。 其中纯度≥99.99%，关键杂质指标：一氯硅烷≤10ppm，三氯硅烷≤10ppm；其他惰性气体别离≤1ppm，As、P、B三种元素杂质别离≤2ppm，颗粒物（≥0.1um）≤3pcs/L。 |
| JB23015 | 高世代液晶面板出产线化学气相沉积设备主题部件 | 气体扩散器（Diffuser）关键机能指标： 1.孔同心度：≤0.05mm； 2.细孔孔径加工精度：0.64±0.01mm（10.5G）； 3.曲面节造精度：4.5±0.5mm（10.5G）。 下部加热基座（Susceptor）关键机能指标： 1.温度均匀性：±8℃（@380℃）； 2.漏率：≤1.0*10-9Pa?m?/s He； 3.粗糙度：Ra：20±2μm； 4.平面度节造精度：≤1.25mm（10.5G）； 产业化指标：实现4.5G~10.5G气体扩散器（Diffuser）年出产能力60片和下部加热基座（Susceptor）在60片，全面实现国内面板出产线化学气相沉积（CVD）设备的主题部件国产化。 |
| JB23016 | 车规级锂电治理AFE芯片的研发与产业化 | 1.工作电压领域：12-88V； 2.工作温度领域：-40°C ~+ 125°C（内部可设置?120°C?过温；ぃ； 3.关机模式功耗：2μA，电压和急剧电流高精度丈量； 4.16bit?电流积分?CADC- 62.5mS/125mS/250mS?库仑计电流丈量； 5.采集线，AUXIN?输入线断线检测； 6.SPI?通讯、单次触发计时器（TIM）； 7.具备系统；，系统报警； 8.满足ASIL B等级认证。 |
| JB23017 | 化学增幅型光刻胶主体资料树脂聚合物的关键技术研发 | PHS树脂中工艺不引入额表金属离子，利用机能上金属离子≤10ppb；未反映单体残留:≤0.1%，；せ疟壤唪ぁ2%mol；树脂溶化性：在50% PGMEA溶液中通明。 |
| JB23018 | 电子级乙硅烷 | 乙硅烷总纯度≥99.998%，单项指标上，H2O<1ppm,O2<1ppm, H2<20ppm, As<10ppb，B<10ppb； |
| JB23019 | 满足职能安全ASIL-B的全栈式尾灯节造规划 | 1.提供灯光节造的全栈解决规划，蕴含灯语成效设计、硬件仿照仿真、造订通讯和谈、软件通讯仿真、自动代码天生、LED驱动芯片、灯光节造主控MCU。LED驱动芯片Firmware、灯光节造主控MCU基础软件、Safetylib、职能安全开发文档。 2.LED驱动芯片： –?集成LDO、MCU、OTP存储器、线性LED恒流驱动、差分总线收发器； –?选取国内晶圆厂、国内封测厂；-?带UART CAN通讯接口；-?芯片地址配置引脚；电压自动反馈职能；-?带ADC采样，能够采集LED的电压、供电电压、芯片温度；- 16通路LED输出，最大输出电流>=100mA； –?支持仿照调光；支持PWM调光，10bit精度；带表部硬线输入； –?总线通讯故障，能够通过表部硬线节造，或者使用OTP内部配置节造。 3.主控MCU: –?选取国内晶圆厂、国内封测厂；- 32位MCU,主频：>=64MHz；- Code FLASH: >=256KB, Data FLASH: >=128KB；- CANFD: >=1, UART/LIN: >=4；满足ASIL-B。 4.车规同步DCDC降压芯片： –?工作电压：5-28V，最高支持40V；-?输出电压：5-16V,?输出电流：>=3A。 5.形成尾灯节造开发流程。 6.造订尾灯驱动芯片的通讯和谈尺度。 7.实现尾灯节造的ASIL-B产品认证。 |
| JB23020 | 40V/150mA LDO芯片 | 1.切合AEC-Q100尺度，Grade 1； 2.宽工作电压领域； 3.≥70dB PSRR； 4.SOT-223封装。 |
| JB23021 | MEMS工艺技术及平面光波导工艺技术/集成光子芯片 | 突破厚膜成长、刻蚀工艺，实现SiO2晶圆基板厚膜一次性成长达25微米，深刻蚀（宽深比可达1：10），形成自主知识产权的光通讯芯片全流程量产工艺，实现集成光子芯片量产，年产芯片1000万颗。 |
| JB23022 | 银烧结碳化硅？榭 | 品直通率≥90%；Vgeth：3.25-5.55V;IGSS:400nA；IDSS：100μA；Rdson：3.7mΩ；TON/TOFFnS。 |
| JB23023 | 新能源汽车主驱SiCMOSFET芯片国产化 | 电压为1200V；Vth（阀值电压）≤3V；Rdson（典型值）为15mΩ；Id为130A，并通过车规级AEC-Q101靠得住性认证。 |
| JB23024 | 高世代液晶面板出产线化学气相沉积设备主题部件 | 干刻下部电极关键机能指标： 边缘粗糙度0.6±0.2μm； 凸点高度节造精度±10μm； 绝缘电阻（@500V）≥2GΩ； 氦气孔孔径0.5±0.05mm； 产业化指标：实现4.5G~10.5G干刻电极年出产能力80片，全面实现国内面板出产线干法刻蚀设备主题部件的国产化。 |
| JB23025 | G2.5 OLED量产用蒸镀机 | 1.膜厚均一性≤±2%，膜厚再现性≤±2%； 2.速度不变性≤±3%,对位精度≤±1um； 3.MTBF＞8000h，多项技术达到国际先进水平，实现国产代替。 |
| JB23026 | 蓝色光刻胶 | 1.新型显示用蓝色光刻胶在TFT-LCD量产线量产导入，实现国产化； 2.高端?Hybrid蓝色光刻胶在TFT-LCD量产线量产导入。 |
| JB23027 | 光伏逆变器自组网技术 | 光伏逆变器额定功率500kW以上；最大效能99%以上；直流侧最大输入电压1500V；总电流波形畸变率＜3%；功率响应功夫＜0.2s，能在并网发电及自组网前提下不变工作，无扰动切换功夫≤20ms；并网发电工况下在SCR=1～100领域能不变运行；MPPT动态精度＞99.6%，稳态精度＞99.9%；自组网工况下，电压颠簸领域不超过10%，频率颠簸领域不超过±0.5Hz。 |
| JB23028 | N型高效TOPCon电池2.0、3.0技术及配套的组件 | 1.2.0技术提效0.25%，达到25.2%； 2.3.0技术降本0.015元； 3.组件功率144HC-182版型达到580W。 |
| JB23029 | 高效硅异质结太阳能电池 | 异质结电池量产效能突破25.5%。 |
| JB23030 | 中压直挂储能设备及系统 | 1.无变压器直接并入中压电网； 2.系统全液冷散热； 3.最高效能不低于98.5%； 4.直流端口输入电池电流纹波不大于3%； 5.具备子？楹屯ㄑ豆收先哂嘣诵兄澳； 6.支持1.3倍高电压穿越； 7.实现直挂储能系统样机开发，容量不低于1.5MW/3MWh。 |
| JB23031 | 储能电芯自动安全预警技术 | 提供电芯故障诊断职能，电芯故障诊断的正确率达到95%以上；提供自动预警职能，提前24幼时鉴别热失控故障；提前24幼时热失控预警，正确率>90%，误报率<0.1%/月。 |
| JB23032 | 航天工程关键技术工业软件 | 1.支持对卫星、星座、导弹、邻近空间飞行器、地面测控、空间碎片等全数空间指标仿真建模（优于STK，STK不支持邻近空间飞行器）； 2.支持Runge-Kutt、Gauss-Jackson、PrinceDormand、等数值积吩祺类型大于6种（优于STK支持的5种数值积吩祺）； 3.支持MSIS86、MSISE90、Jaccia77、DTM94等常用大气密度模型大于12种（优于STK支持的5个系列10种大气模型）； 4.支持JGM3、EGM96、EGM2008、GRIM5、Eigen-6s等常用沉力场模型大于15种（优于STK预置的12种沉力场模型）； 5.支持的最大星座规模不幼于15000颗（超出我国贸易卫星规划总数）； 6.在一样输入前提下，精密轨路确定算法精杜着于STK的ODTK？椋∣DTK？榻龇务美国军方）； 7.卫星雷达个性分析，动态RCS均值误差幼于5db(优于STK的RadBase？)； 8.支持对太阳磁暴、地月影、敏感器滋扰、日凌等事务的仿真建模。 |
| JB23033 | 高靠得住多语种智能语音交互系统研发及利用 | 语音唤醒和鉴别正确率≥95%，误唤醒每24幼时不超过1次，海量实体词鉴别正确率≥90%，语义理解正确率≥85%，语音合成天然度MOS分≥4.2分；智能音效系统在60dB以上的复杂噪声环境降落噪达到3~15dB，4D虚构环抱声技术主客观评分≥85分，AI自动调音达到国际顶级声学专家调音均匀90%；有关技术100%国产化；人为智能软件靠得住性测评保险平台支持DFCNN及其变种蹬罪音鉴别模型，成立工具库、测试用例库、尺度规范库、场景案例库、缺点库，构建基于云平台及软硬件在环的仿真测评验证环境，形成软件靠得住性测评与缺点建复等能力，满足模型鲁棒性、正确率、可诠释性等不少于4项靠得住性测评及举证要求，形成有关尺度及规范不少于3项。 |
| JB23034 | 危险容限理论和数字分析技术钻研 | 1.资料委顿裂纹扩大数据库： ??占有400多种金属资料3000多条委顿裂纹扩大根基数据 ??支持资料委顿裂纹扩大数据查问与治理 ??支持用户委顿裂纹扩大试验数据拟合及保留 2.结构应力强度因子推算： ??典型结构应力强度因子推算 ??支持基于有限元分析的应力强度因子推算 ??特定结构应力强度因子推算 3.三维裂纹参数化有限元建模及裂纹扩大分析： ??三维裂纹全六面体模型及含裂纹典型结构参数化建模 ??交互拔取和三维裂纹可视化 ??支持三维裂纹扩大 |
| JB23035 | 工业AI中台 | 1.研发工业AI中台，蕴含数据自动化标注、模型编排、模型训练、模型微服务、平台治理等子？；通过对底层指令集的集成，支持国产化CPU、GPU能力；支持私有化部署；易用性高，非专业人员经过单一培训即可实现模型的定造。 2.堆集形成声学、视觉、NLP等方面的算法模板库、场景模板库、以及场景能力库。其中算法模板库蕴含15类工作的算法模板、50个以上场景模板、50个以上场景能力。 3.在10个场景，构建大规模预训练模型和场景模板，支持幼样本和持续进建，在<10%样本量的情况下可实现成效吃旖(误差<1%)。 4.基于平台的场景定造达到一致机能的交付成本降低50%以上。 |
| JB23036 | 工业六感智能分析系统 | 1.研发声学成像传感器，mic不少于64个、频率带宽达到64K，视频分辨率达到1080P； 2.研发嗅觉传感阵列，嗅觉传感个数大于蹬宗12 MOS； 3.声纹听诊技术的异常检测召回率大于90%； 4.多维传感数据融合预测AI算法，算法精度误差幼于1%； 5.故障模式鉴别正确率达到90%； 6.故障溯源正确率达到90%； 7.设备健康汇报蕴含的参数预测的相对误差不高于5%。 |
| JB23037 | 国产化智能语音产品质量评估软件系统 | 1.基于EBU R.128实现对音频的尺度化响度丈量及归一化处置，经过响度规整后的音频使用同样的声学设备和功放增益播放出来声压级误差在±1dBA； 2.基于ETSI EG 202 396-1布景噪声还原技术，实现不低于10种测试场景还原； 3.信噪比实时自动调节技术，经过技术调整后，信噪比评测误差值在±1dB； 4.智能语音产品多模态自动化测试技术拓展，至少覆盖日志关键词检索、声音能量监测、灯光监测、图像鉴别比对、UI元素文本获取等5种工具开发与利用； 5.实现影响智能语音成效测试关键成分（混响、噪音、距离、角度、高度）的自动调整和场景自动切换。 |
| JB23038 | 先进工艺节造EDA工具(APC V1.0) | 1.Litho全面支持ASML、Nikon等主流光刻机； 2.支持Etch和CMP； 3.3sigma?相较于无APC解决规划减幼15%。 |
| JB23039 | 掩模工艺误差建改EDA工具（MPC V1.0） | 1.全面支持先进工艺的Mask Process Correction推算光刻流程； 2.7×24幼时完玉成mask的MPC校对，一层齐全mask的校对误差在3.0 nm之内； 3.后MPC疆域校验可在12幼时内完玉成芯片的分析。 |
| JB23040 | 多沉图形化EDA工具（DPT/MPT V1.0） | 1.全面支持先进工艺研发流程； 2.24幼时内对芯片疆域中特定层的多沉曝光疆域拆解：在给定的DRC规定下选取着色贪心算法实现多沉拆解，同时对拆解掩模进行DRC验证； 3.疆域层级治理器可在12幼时内完玉成芯片的疆域层级分析：首先，利用OASIS（Open Artwork System Interchange Standard）的档次信息构建数据库；而后提供从数据库检索数据的接口，从而成立利用的索引树，实现疆域层级分析。 |
| JB23041 | 光学邻近效应建模和建改EDA工具(OPC V1.0) | 1.全面支持先进工艺的推算光刻全流程； 2.AI辅助的OPC模型校准，针对特定疆域层在2nm?均方根误差； 3.7×24幼时完玉成芯片中特定层的OPC校对，一层齐全芯片的校对误差在2.5nm之内； 4.后OPC疆域校验可在12幼时内完玉成芯片的分析。 |
| JB23042 | 光源掩模协同优化EDA工具(SMO V1.0) | 1.全面支持先进工艺研发流程； 2.SMO在24幼时之内提供光源地图（source map），通过20项疆域集中去优化光源配置； 3.在用户敦睦的GUI上查看数据，并为所有剪辑疆域界说优化规范。 |
| JB23043 | DFT?诊断了局分析?EDA工具(DFT V1.0) | 1.可兼容业内两种重要DFT诊断工具的了局文件，TestMAX?和?Tessent； 2.可支持10000条DFT指证的疆域蹊径的可视化； 3.可输出Top5?造成芯片失效的DFT?诊断共性失效模式。 |
| JB23044 | 工业ChatGPT | 1.实现“类人”智能的工业大模型，模型参数达到数百亿至千亿规模； 2.具备泛化的新工作的理解和内容天生能力,具备自主知识进建与进化能力； 3.实现大模型与知识融合统一的理解框架，解决大吞吐影象吞吐的短板；馗舱仿氏喽蕴嵘30%以上； 4.实现文本、图像、音视频的多模态内容出产。 |
| JB23045 | 大功率极地破冰型全回转推动器 | 最大功率不低于9000kW；最高冰区等级不低于PC2；合用船舶航速不低于18kn,系柱推力960kN，推动器整体最大推动效能0.46。 |
| JB23046 | 内河清洁能源船舶 | 1.内河纯电推动船舶 2.尺度90米（船体技术参数：长90米，宽14.6米至16.16米，型深4.8米至6米，纯电/混动）内河5000吨级多用处船/集装箱船油电混合刷新尺度化船型。 经济航速8公里/幼时，最高航速12公里/幼时，满电续航里程230公里。 |
| JB23047 | 6M320M甲醇燃料发起机 | 中大缸径甲醇机，甲醇模式满足满足IMO Tier?Ⅱ。甲醇作为低碳燃料，碳排放较通例发起机降低10%-20%。单缸功率为500kW，甲醇代替率90%，热效能达到47%，节造系统支持远程在线监测发起机运行状态，支持性质安全型的舱室安全性设计。尺度化、集成化的接口让船厂施工越发方便、快捷。零部件国产化率90%以上。 |
| JB23048 | 船用电池治理系统 | 通过多级（三级以上）架构治理船用动力锂离子电池，电压领域50-1500v，单簇最大电流500A。 |
| JB23049 | 双燃料多用处船 | 采LNG燃油，载货量不幼于7800吨，航速14节。 |
| JB23050 | 船舶尾气排放及燃油品质在线监测系统 | SO2/NO/ NO2/CO/CO2/O2等六种传染物气体在线监测精度误差≤±2%。 |
| JB23051 | 舰船用舱室压力计 | 通过对多个全防护区的差压梯度节造实现密关舱室内气流节造，预防有毒气体倒流。最低节造75Pa，最高上限750Pa，要求1路4~20mA、2路RS485、2路继电器信号同时输出。 |
| JB23052 | 船用甲醇燃料供给单元 | 1.拥有不变的品质(10μm)及满足发起机要求的压力、流量节造； 2.拥有不变的温度节造（25℃～50℃）； 3.可能检测管路设备是否泄露； 4.拥有系统异常报警职能； 5.拥有自动节造和远程节造职能。 |
| JB23053 | 低速机活塞头工艺开发及产业化 | 1.低速机活塞头耐热侵蚀表表堆焊工艺开发，国产化焊材选用取代“卡脖子”进口焊材，节造其中Fe元素含量，使其远低于尺度要求的5%，从而有效保障节造堆焊过程中焊材热裂问题，进一步提高高温服役机能；2.成立一条高效的机加工出产线，配置相宜的数控设备及出产布局，达到月产100件的关键件配套能力。 2.理化机能：基材S20CrMoVS，抗拉强度Rm≥640MPa，硬度190-220HB；焊材ERNiCrMo-3，抗拉强度Rm≥760MPa； 3.靠得住性指标：堆焊至少2层，堆焊后硬度≤450HV，加工后焊层厚度≥3mm，精加工面往下2mm处的Fe%≤5%。 |
| JB23054 | 船舶航运大数据平台 | 满足260万船舶实时在线数据设备运行状态、信息自动采集、设备状态在线监测、自动预警。 |
| JB23055 | 双燃料物探船 | 1.可勘探深度100米，可勘探领域不幼于260公里（离岸）。 2.该船为1500 DWT双燃料物探船，合用于热带地域作业。船舶重要参数：总长79.3米，垂线间长70.2米，型宽18.3米，型深8米，设计吃水5米，船面面积810m2，乘员40人，设计航速10kn。 3.配置两个可调桨主推动器和两个可调桨艏侧推，侧推输出功率每个约500kw，推力每个约8t，选取互换电机（带软启动器的恒速或变速），额定转速1200转/分钟。尾部推动输出功率约为1400~1500kw，额定转速1200转/分钟。 4.3台柴油发电机，最大持续功率约1500kw，柴油模式切合IMO Tier?Ⅲ柴油发起机废气排放尺度。 5.船舶续航功夫为28天+10%冗余，经济航速10kn时续航力为2500英里。 6.DP系统满足ABS DPS-2入级符号及IMO Class 2和多冗余要求。 7.设有3个甲醇燃料舱，舱容330m3，1个甲醇操作间，甲醇日用舱舱容16m3。 8.ABS入级符号：ABS +A1, Circle E, Offshore Support Vessel (Supply-HNLS), DPS-2, SPS，+AMS, +ACCU, Methanol Fuel Ready Level 1C(option), UWILD ,IHM. |
| JB23056 | 船用发起机ECC电气系统集成 | MAN柴油机主题节造器件系统集成，大大提高了ME-C船用柴油机机能，功率节造更精确，油耗更低，满足IMO Tier II排放要求。 |
| JB23057 | 蓄能空压机研造 | 压力10MPa，排量10m3/min； 振动烈度28mm/s； 空气噪声95dB(A),水冷, 500h。 |
| JB23058 | 产业用高机能阻燃防护资料 | 耐火焰达到1600℃，离火后迅速自灭；点火速度幼于蹬宗100mm/min；吸声系数大于蹬宗0.8；导热系数幼于蹬宗0.04（W/m*K）。 |
| JB23059 | 职能型立体编织纤维加强橡胶预浸料 | 1.断裂强度（N/mm）：850-1260； 2.断裂伸长率（%）：14.5-15.5； 3.干热收缩率（%）:1.5-2.0； 4.粘合强度（N/mm）：13.0-17.0； 5.10%定负荷伸长率（%）：1.0-1.2； 6.经向卷曲度（%）：4.5-5.0； 7.平方米干沉（g/m2）：1500-1520。 |
| JB23060 | 造纸压榨部用毛毯和月牙卫生纸机用湿毯 | 满足车速1500m/min以上造纸机使用。 |
附件2
2023年造作业沉点领域
补短板产品和关键技术攻关工作
揭榜申报资料
工作编号和名称：________________________
揭榜申请单元（盖章）：___________________
联系人及电话：__________________________
推荐单元：______________________________
填报日期：______________________________
填 报 说 明
一、揭榜申请单元应仔细阅读《关于组织发展2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术攻关工作揭榜申报工作的通知》，如实、具体地填写每一部门内容。
二、除还有注明表，申报资猜中栏目不得空缺。请按要求提供佐证资料，以附件大局列入申报资料。
三、揭榜申请单元所申报的产品或技术需占有知识产权。对报送的资料真实性掌管。对能否按打算实现沉点揭榜工作作出有效承诺。
四、表中指标重要蕴含技术机能指标、产业化指标等，指标不合表公开，仅用于专家和评测机构评价参考。
揭榜单元申报表
| 揭榜申请单元根基信息 | |||||||||||||||||||||
| 揭榜申请单元名称 | 统一社会信誉代码 | ||||||||||||||||||||
| 地点地域 | 所有造类型 | 所属行业 | |||||||||||||||||||
| 结合申报单元 | 单元名称 | 单元性质 | 统一社会信誉代码 | 结合攻关内容 | |||||||||||||||||
| 2022年经济指标 | 总资产（万元） | 净资产（万元） | 交易收入（万元） | 利润总额（万元） | |||||||||||||||||
| 2022年研发投入 | 研发投入金额（万元） | 研发投入占交易收入比沉（%） | |||||||||||||||||||
| 企业技术中心级别 | □国度级?□省级?□市级 | 造作业创新中心级别 | □国度级?□省级 | ||||||||||||||||||
| 其他认定研发机构名称及级别 | |||||||||||||||||||||
| 职工总数 | 其中：研发人员数量 | ||||||||||||||||||||
| 占有授权专利数 | 其中：发现专利数 | 其中：项目有关发现专利数 | |||||||||||||||||||
| 牵头单元简介 | 蕴含成立功夫、主交易务、重要产品、技术实力、发展过程等根基情况，以及所获论文、专利、尺度、专一、角逐嘉奖等情况（需提供证明资料附后）（不超过500字）。 | ||||||||||||||||||||
| 结合申报单元简介 | 沉点凸起结合申报单元在申报方向的特色、优势等（不超过500字）。 | ||||||||||||||||||||
| 揭榜工作根基信息 | |||||||||||||||||||||
| 揭榜工作名称及编号 | |||||||||||||||||||||
| 项目简介
（简要注明执行指标、执行后解决的关键技术和行业问题，不超过500字） |
|||||||||||||||||||||
| 预计总投资 | ?????????万元，其中固定资产投资????万元。 | 已实现投资 | ??万元 | ||||||||||||||||||
| 其中： | 自有资金 | 银行贷款 | 社会投资 | 其他 | |||||||||||||||||
| 项目是否获得省本级其他同类财政资金支持 | □是?????□否 | ||||||||||||||||||||
| 年度及沉点节点打算 | 功夫段 | 实?施?进?度 | 实??施??进??度??内??容 | ||||||||||||||||||
| ??年?月—
年??月 |
|||||||||||||||||||||
| ??年?月—
年??月 |
|||||||||||||||||||||
| ??年?月—
年??月 |
项目实现 | 攻关指标实现、建设内容实现、项目验收。 | |||||||||||||||||||
| 具体技术
指标比对 |
国际先进
水平 |
对标企业 | |||||||||||||||||||
| 具体指标 | |||||||||||||||||||||
| 国内当先
水平 |
对标企业 | ||||||||||||||||||||
| 具体指标 | |||||||||||||||||||||
| 攻关拟达到水平（指标） | |||||||||||||||||||||
| 对指标水平具体寓意的补充注明 | |||||||||||||||||||||
| 我单元对所报送资料真实性掌管，保障所报送产品或技术切合国度有关司法律规及有关产业政策要求。在揭榜工作执行期间当真组织、沉点推动，力求在攻关期内获得内容进展，达到或超过预期指标。
揭榜申请单元法定代表人具名： ? 年????月???日 |
揭榜申请单元（盖章） 年????月????日 |
||||||||||||||||||||
| 经审核，本项目真实、合规，切合申请揭榜工作的有关要求，赞成推荐该单元申请揭榜。
推荐单元：????????????????年????月????日 |
|||||||||||||||||||||
揭榜工作攻关规划
（参考提纲）
一、揭榜项目简要介绍
攻关产品或技术名称，涉及的重要技术、创新方向、发展趋向及远景等。
二、揭榜单元现有基础及有关进展
（一）本单元行业职位、科研资质、技术基础、知识产权、创新能力、人才与团队实力、重要优势；结合单元概况及合作攻关内容等。
（二）本单元现有同类产品或技术的重要特点和关键指标，以及与国内表先进水平的比力（列表对比注明）。
（三）已具备该项技术的研发、设计、中试、测试、出产（组装）等有关前提；
（四）已发展有关联的项目钻研；
（五）已经获得的科技成就和该领域的有关专利技术。
三、项目指标及打算
（一）预期功效（蕴含不限于：技术先进性，能否突破垄断、代替进口，对产业的推作为用，产生的经济效益和社会效益等）。
（二）预期技术指标
（三）攻关进度打算（功夫进度、阶段性工作、细化指标等）。
（四）项目人才团队情况（蕴含不限于：人才情况简介、攻关工作分工、人才合作方式等）
四、风险分析及对策
从技术风险、市场风险、政策风险等方面分析项目执行可能面对的风险并提出对策。
五、攻关项目投资及使用概算
六、有关证明资料
（一）企业交易牌照复印件
（二）企业上一年度的财政审计报表（含加盖管帐师事务所审计公章的资产负债表、利润表、现金流量表，需体现研发投入情况）
（三）企业研发能力证明资料。（获得专利、尺度、知识产权等）
（四）企业有关荣誉证明资料。（造作业创新中心、沉点尝试室、企业技术中心、高新技术企业、角逐嘉奖等有关证明资料）
（五）牵头单元和结合单元之间结合和谈或合一致证明资料。（结合和谈或合同，均需加盖和谈签署单元公章）
附件3
2023年造作业沉点领域补短板产品和关键技术
攻关工作揭榜申请单元汇总表
推荐单元（盖章）：
| 序号 | 单元名称 | 揭榜工作编号及名称 | 企业联系人 | 手机 |
| 1 | ||||
| 2 | ||||
| 3 | ||||
| …… | ||||
| …… | ||||
| …… | ||||
| …… |
注：本表由各市经济和信息化局填报。
